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FDFMA2P853

更新时间:2025-05-17 16:36:27

供应商
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封装/批号
说明
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市旺财半导体有限公司
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青岛谛辉电子科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市群川盛达电子有限公司
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MOSFET PCH 20V 3A MICROFET6/2020+
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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市科圳威电子有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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FDFMA2P853外观图

FDFMA2P853

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6

封装:6-WDFN 裸露焊盘

FDFMA2P853 概述

FDFMA2P853是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用。其最大漏源电压为30V，适合用于电源管理电路、负载开关和同步整流等场景。由于其优化的栅极电荷特性，能够有效降低驱动损耗，提升系统效率。在便携式设备如手机和平板电脑中，常被用于电池充电电路及电源转换模块。设计时需注意散热措施以确保长期稳定工作，推荐使用适当尺寸的铜箔或散热片来改善热性能。

FDFMA2P853 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
120 毫欧 @ 3A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
435pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-MicroFET（2x2）
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDFMA2P853FSTRFDFMA2P853TRFDFMA2P853TR-ND

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