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薄型封装版本MicroFET MOSFET
日前,飞兆半导体公司(farichild semiconductor)宣布其microfet现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能.飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式p沟道powertrench mosfet与肖特基二极管器件fdfma2p859t,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求. 相比传统mosfet器件,fdfma2p859t具有出色的功率耗散和传导损耗特性,且其封装高度为0.55mm,比行业标准0.8mm microfet降低了30%,适用于在最新的便携式手机、媒体播放器和医疗设备中常见的薄型设计. fdfma2p859t专为满足客户的设计需求而开发,在紧凑的占位面积中提供了出色的热性能,并确保肖特基二极管在vr=10v下保持1?a的极低反向泄漏电流(lr).这些特性都能够大大提升线性模式电池充电和功率多工应用的性能和效率. fdfma2p859t是飞兆半导体广泛的mosfet产品系列的一部分,此系列的特别设计能够满足当今和未来设计之效率、空
飞兆半导体MicroFET™采用薄型封装瞄准电池充电和功率多工应用
飞兆半导体公司(farichild semiconductor)宣布其microfet现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能.飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式p沟道powertrench? mosfet 与肖特基二极管器件fdfma2p859,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求. 相比传统mosfet器件,fdfma2p859t 具有出色的功率耗散和传导损耗特性,且其封装高度为0.55mm,比行业标准0.8mm microfet降低了30%,适用于在最新的便携式手机、媒体播放器和医疗设备中常见的薄型设计. fdfma2p859t专为满足客户的设计需求而开发,在紧凑的占位面积中提供了出色的热性能,并确保肖特基二极管在vr=10v下保持1?a的极低反向泄漏电流(lr).这些特性都能够大大提升线性模式电池充电和功率多工应用的性能和效率. fdfma2p859t是飞兆半导体广泛的mosfet产品系列的一部分,此系列的特别设计能够满足当今和未来设计之效率、空间

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FET 型:

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开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

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fdfma2p859t替代型号

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