FDFMA2P857
138000
QFN6/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
FDFMA2P857
20000
SOIC/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
FDFMA2P857
5834
6VDFN/24+/25+
只做原装
FDFMA2P857
29078
-/-
现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业
FDFMA2P857
48000
QFN6/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务
FDFMA2P857
63422
QFN6/2215+
原装现货，可提供一站式配套服务
FDFMA2P857
5000
QFN6/23+
优势产品大量库存原装现货
FDFMA2P857
65286
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
FDFMA2P857
15600
MicroFET 2 x 2/2025+
原装优势有货
FDFMA2P857
168000
QFN6/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
FDFMA2P857
2768
6WDFN/24+
原厂原装现货
FDFMA2P857
86000
DFN6/18+
公司原装现货可含税特价特价
FDFMA2P857
228000
NR/2017+
诚研翔科技，专业配单公司，可开增值税发票
FDFMA2P857
25000
FAIRCHILD/22+
只有原装原装，支持BOM配单
FDFMA2P857
41101
QFN6/-
大量现货，提供一站式配单服务
FDFMA2P857
8700
QFN6/2023+
原装现货
FDFMA2P857
23412
QFN6/23+
提供一站式配单服务
FDFMA2P857
9800
N/A/1808+
原装正品，亚太区混合型电子元器件分销
FDFMA2P857
5270
6WDFN/21+
-
FDFMA2P857
32500
QFN6/22+
原装最低价，认准华盛锦
FDFMA2P857
Integrated P-Channel PowerTrench MOS...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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FDFMA2P857_08
Integrated P-Channel PowerTrench㈢ M...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货:现货 交货期:收到订单后12周内 来源:小草
。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货 交货期: 收到订单后12周内
空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货交货期: 收到订单后12周内
省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。 供货：现货 交货期：收到订单后12周内
板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。 供货：现货 交货期：收到订单后12周内
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