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FDFM2N111

更新时间:2025-05-17 12:41:28
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FDFM2N111外观图

FDFM2N111

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

  • 封装:6-MLP，Power33
FDFM2N111 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    100 毫欧 @ 4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    3.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    273pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    800mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-MLP，Power33
  • 供应商设备封装
    MicroFET 3x3mm
  • 包装
    带卷 (TR)
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