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FDV302P-NB8V001

更新时间:2025-05-19 08:18:13
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FDV302P-NB8V001 规格参数
  • 品牌：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
  • 包装：1/Digi-Reel?
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120mA（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 200mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：.31nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：11pF @ 10V
  • 功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：SOT-23
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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