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飞兆半导体P沟道MOSFET提供业界最低RDS(ON)
日前，飞兆半导体公司 (farichild semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一p沟道mosfet器件fdz197pz，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。fdz197pz在vgs= 4.5v时提供64mohm之rds(on) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用wl-csp封装，比占位面积相似的传统塑料封装mosfet具有更佳功耗和传导损耗特性。fdz197pz具有比其它的同级mosfet器件更强大的静电放电(esd)保护功能(4kv)，能够保护器件避免可能导致应用失效的esd事件之应力影响。 p沟道mosfet器件fdz197pz采用飞兆半导体性能先进的powertrench mosfet工艺技术制造，可以达到更低的rds (on) 、更高的负载电流和更小的封装尺寸。这款wl-csp 封装备有6 x 300µm无铅焊球，以用于电路板连接，提供了比其它的wl-csp引脚输出更出色的电气性能和热阻。其安装时封装高度
Farichild推出单一P沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司 (farichild semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一p沟道mosfet器件fdz197pz，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。fdz197pz在vgs= 4.5v时提供64mohm之rds(on) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用wl-csp封装，比占位面积相似的传统塑料封装mosfet具有更佳功耗和传导损耗特性。fdz197pz具有比其它的同级mosfet器件更强大的静电放电(esd)保护功能(4kv)，能够保护器件避免可能导致应用失效的esd事件之应力影响。 p沟道mosfet器件fdz197pz采用飞兆半导体性能先进的powertrench? mosfet工艺技术制造，可以达到更低的rds (on) 、更高的负载电流和更小的封装尺寸。这款wl-csp 封装备有6 x 300μm无铅焊球，以用于电路板连接，提供了比其它的wl-csp引脚输出更出色的电气性能和热阻。其安装时封装高度仅为0.65mm，为薄型产品设计

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标准包装:

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FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

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fdz197pz替代型号

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开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

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