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IRF6602

更新时间:2025-07-05 01:54:14
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IRF6602外观图

IRF6602

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

  • 封装:DirectFET? 等容 MQ
IRF6602 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    11A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    13 毫欧 @ 11A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1420pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2.3W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    DirectFET? 等容 MQ
  • 供应商设备封装
    DIRECTFET? MQ
  • 包装
    剪切带 (CT)
  • 其它名称
    IRF6602CT
IRF6602 Datasheet数据手册 PDF下载
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