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IRF6612

更新时间:2024-04-27 09:43:33
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  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET Power MOSFET
  • 标准包装:4,800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.3 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:45nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3970pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6612TR
IRF6612 相关信息
  • 分布式电源系统中直流母线电压变换器的选择与应用
    ...动时,原边的偏置电压是由一只线性稳压器产生,在稳态时,则由变压器产生原边偏置电压。IRF7380中包含两个80V的 n型沟道 MOSFET功率晶体管,采用SO-8封装,就是用于在稳态时产生原边偏置电压。 IRF6612或者 IRF6618──这是使用DirectFET封装的新型30V、 n型沟道 MOSFET功率晶体管,可以用于副边的自驱动同步整流电路。DirectFET 半导体封装技术实际上消除了MOSFET晶体管的封装电阻,最大...
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