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IRF6604

更新时间:2024-09-25 16:28:40
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IRF6604的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRF6604外观图

  • 标准包装：4,800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11.5 毫欧 @ 12A，7V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2270pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MQ
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MQ
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6604TR
IRF6604 相关信息
  • IR推出用于2MHz 降压转换器的MOSFET
    ...顶部，因此封装本身的电阻很小，电感也很小。DirectFET的封装电阻只0.1mΩ（不包括芯片的电阻）、寄生电感为0.6nH。因此，d irctFET可在1MHz至2MHz的频率范围内保持低损耗。2002年早些时侯推出的IRF6604是用作控制开关的directFET封装30V MOSFET，导通电阻为8mΩ、QGD仅3.7nC。IR公司电脑产品销售经理Carl Blake说，在一个2相降压转换器实例中，每相用两只dirctFET （用IRF6607作同步开关...
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