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IRF6613

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IRF6613外观图

  • 标准包装:4,800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.4 毫欧 @ 23A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:63nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5950pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
  • 包装:带卷 (TR)
IRF6613 相关信息
  • IR MOSFET及控制芯片组方案
    ...脉冲宽度。 新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2A栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500kHz的可编程开关频率。 设计师可从100V IRF6644或IRF6655、40V IRF6613或IRF6614四种DirectFET MOSFET选择所需产品,组成完整的芯片组。这些MOSFET采用IR最新技术及DirectFET封装,能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。 由于器件温度更低,因此无需在...
  • 用于下一代分布电源结构的直流总线变换器和负载点电源模块技术
    ...率mosfet,集成在so-8封装内,被用于获得该功能。在次级,新颖的30v n-沟道irf6612 或irf6618 directfet封装功率mosfet用于自驱动的同步整流拓扑结构中。对于12v输出应用来说,新型的40v n-沟道IRF6613 可用作同步整流mosfet,这个单元在小于1/8砖的外形达到了超过96%的效率,跟传统相比,效率大约高出3-5%,体积减少了50%,是完全稳压的、板上安装的功率变换器。 在比较直流总线变换器的...
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