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IR MOSFET及控制芯片组方案
有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。设计师可从100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四种directfet mosfet选择所需产品，组成完整的芯片组。这些mosfet采用ir最新技术及directfet封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，irf6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，irf6644的导通电阻降低了约48%。 irf6644的组合式导通电阻与栅电荷的主要指标优于同类方案45%。其导通电阻与两个

IR MOSFET及控制芯片组方案
50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。设计师可从100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四种directfet mosfet选择所需产品，组成完整的芯片组。这些mosfet采用ir最新技术及directfet封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，irf6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，irf6644的导通电阻降低了约48%。 irf6644的组合式导通电阻与栅电荷的主要指标优于同类方案45%。其导通电

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