IRF6619TRPBF
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DIRECTFET/21+
原装现货
IRF6619TRPBF
9000
-/-
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IRF6619TRPBF
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DIRECTFET/21+
原装现货
IRF6619
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SMD/21+
原装现货,假一罚十
IRF6619
3030
DirectFET/06+
只做原装,也只有原装
IRF6619
6500
DirectFET/23+
只做原装现货
IRF6619
69800
-/2022+
特价现货,提供BOM配单服务
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9600
DIRECTFET/1837+
原装正品假一赔十,深圳现货
IRF6619
8913
DirectFET/23+
柒号芯城,离原厂的距离只有0.07公分
IRF6619
22113
-/23+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
IRF6619
6000
DirectFET/23+
原装现货 只做原厂原装优势库存 自家库存
IRF6619
30000
DIRECTFET MX/23+
全新原装,假一罚十
IRF6619
5690
DirectF/21+
全新原装现货 物美价廉.
IRF6619
10000
DirectFET MX/21+
原装正品
IRF6619
38980
DirectFET/22+
全新原装现货,价格优势,供应中欢迎咨询
IRF6619
20000
SOT223/2023+
17%原装.深圳送货
IRF6619
8700
-/2023+
原装现货
IRF6619
9000
DirectFET Isometric MX/22+
原厂渠道,现货配单
IRF6619
15500
DIRECTFET MX/23+
一站式BOM配单 只做原装
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)推出新型的directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新产品适用于下一代采用intel和amd处理器的高端台式电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的dc-dc转换器应用。例如,电流为130a的五相转换器如果采用最新的irf6619 和irf6633芯片组,可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。 ir中国及香港销售总监严国富指出:“irf6619和irf6633芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的d-pak mosfet,可以减少一半的元件数量,并为每个相位减少一半以上的占板空间,有效压缩工作站和服务器的体积。” irf6619是理想的同步mosfet,器件的典型导通电阻极低,在10vgs下为1.65mω,在4.5vgs下则为2.2mω,而逆向恢复电荷可以低至22nc。该器件采用mx中罐directfet封装,占板面积与so-8封装相同,高度只有0.7mm。 irf6633的栅电荷极低,米勒电荷只有4nc,最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20vn器件相比,
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出新型的directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用intel和amd处理器的高端台式电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的dc-dc转换器应用。 例如,电流为130a的五相转换器如果采用最新的irf6619 和irf6633芯片组,可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。ir中国及香港销售总监严国富指出:“irf6619 和irf6633 芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的d-pak mosfet,可以减少一半的元件数量,并为每个相位减少一半以上的占板空间,有效压缩工作站和服务器的体积。”irf6619是理想的同步mosfet,器件的典型导通电阻极低,在10vgs下为1.65mω,在4.5vgs下则为2.2mω,而逆向恢复电荷可以低至22nc。该器件采用mx中罐directfet封装,占板面积与so-8封装相同,高度只有0.7mm。irf6633的栅电荷极低,米勒电荷只有4nc,最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20vn器件相比,其