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IRF6725M

更新时间:2024-04-20 19:43:41
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IRF6725M 相关信息
  • IR推适合CPU电源应用的30V MOSFET系列
    ...DirectFET封装,新的30V器件具有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd特性,可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25A的操作,同时保持单一控制和单一同步MOSFET的小巧体积。” IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M,以及IRF6727M具有极低的RDS(on)特性,非常适合高电流同步MOSFET。这些新器件与上一代器件采用通用的MT和MX占位面积,所以当需要提高电流水平或改善散热性能时,易于从旧器...
  • 专为同步降压转换器设计的30V DirectFET MOSFET
    ...标准SO-8器件的占位面积小40%,而且采用了0.7mm纤薄设计。导通电阻 (RDS(on)) 非常低,同时把栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) 减至最少,并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M,以及IRF6727M具有极低的RDS(on) 特性,非常适合高电流同步MOSFET。这些新器件与上一代器件采用通用的MT和MX占位面积,所以当需要提高电流水平或改善散热性能时,易于从旧器...
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