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ntd2955中文资料

  • NTD2955的技术参数

    产品型号:ntd2955源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):150最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:p沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:-0.4a,-20v功率mosfet价格/1片(套):￥3.00 来源:xiangxueqin

  • NTD2955T4G的技术参数

    产品型号:NTD2955T4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180
    最大漏极电流Id(on)(A):12
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:-60 V, -12 A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥3.00

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  • NTD2955的技术参数

    产品型号:NTD2955
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150
    最大漏极电流Id(on)(A):12
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~150
    描述:-0.4A,-20V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥3.00


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ntd2955替代型号

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