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NTF2955T1G

更新时间:2025-07-03 09:28:47
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NTF2955T1G外观图

NTF2955T1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
NTF2955T1G 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    185 毫欧 @ 2.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    492pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SOT-223
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    NTF2955T1GOSTR
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