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NTJD3158CT1G

更新时间:2025-05-27 22:03:14
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NTJD3158CT1G 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    20 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 12 V
  • 漏极连续电流
    + 0.63 A, - 0.82 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    375 mOhms at 4.5 V at N Channel, 300 mOhms at 4.5 V at P Channel
  • 配置
    Dual
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SC-88-6
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    227 ns, 6.5 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    270 mW
  • 上升时间
    227 ns, 6.5 ns
  • 工厂包装数量
    3000
  • 典型关闭延迟时间
    786 ns, 13.5 ns
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