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NTMFS4845NT1G

更新时间:2025-07-15 14:22:48

供应商
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数量
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封装/批号
说明
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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NTMFS4845NT1G外观图

NTMFS4845NT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL

封装:8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）

NTMFS4845NT1G 概述

NTMFS4845NT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为30V，在栅极驱动电压为4.5V时，连续漏电流可达6A。由于这些特点，它广泛应用于负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等场景中。在实际应用时，为了确保最佳性能，需注意布线尽量短以减少寄生电感，并且栅极驱动电路应避免产生过冲现象以免损坏器件。对于需要高效能和小尺寸解决方案的设计来说，NTMFS4845NT1G是一个理想的选择。

NTMFS4845NT1G 规格参数

标准包装
1,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.9 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
39nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3720pF @ 12V
功率 - 最大
890mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
供应商设备封装
6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTMFS4845NT1G-NDNTMFS4845NT1GOSTR

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