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SI5913DC-T1-GE3

更新时间:2025-07-03 16:19:23
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SI5913DC-T1-GE3 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    LITTLE FOOT®
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    84 毫欧 @ 3.7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    330pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    3.1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装
    1206-8 ChipFET?
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    SI5913DC-T1-GE3TR
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广东微尔科技有限公司
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