带有此标记的料号:
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3205
QFN/1529+
一定原装房间现货
6000
1048+/QFN8
-
SI7192DP-T1-GE3
3120
22+/PowerPAKSO8
-
SI7192DP-T1-GE3
50000
QFN/23+
原装现货
SI7192DP-T1-GE3
3500
SOP/2023+
原装现货 假一罚十
SI7192DP-T1-GE3
50000
QFN/23+
原装现货
SI7192DP-T1-GE3
12000
QFN/15+
一定原装/香港现货
SI7192DP
80000
-/23+
原装现货
SI7192DP
17500
QFN8/21+
货真、价实、城交
SI7192DP
30
QFN/09+
原装现货自己库存
SI7192DP
780000
-/-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
SI7192DP
80000
-/23+
原装现货
SI7192DP
18610
-/23+
主营Vishay 全新原装
SI7192DP
69000
QFN8/21+
原厂原装现货 假一赔十
SI7192DP
80000
-/23+
原装现货
SI7192DP
9200
QFN8/23+
只做原装更多数量在途订单
SI7192DP
20000
QFN8/21+
原厂原装 正品/假一罚十
SI7192DP
8735
NA//23+
原装现货,当天可交货,原型号开票
SI7192DP
12800
QFN8/1612+
特价特价全新原装现货
其他器件都不起作用。 每次我们都使用简单的直流技术给一个热源供电,这样就可以以非侵入式方式测量热敏感度的系数。我们对被测器件(ic,mosfet和电感器)施加直流电压和电流,迫使器件开始消耗能量,然后测出pj。然后我们使用热成像摄像机测量表面温度的?ti,接着就可以用上面的等式(6)计算出sij。 我们使用了新的方法学计算两个降压拓扑的主热源:一个使用sic739d8 drmos ic的集成式功率级,和一个使用两个mosfet的分立式功率级,在分立式功率级中,si7382dp在高边,si7192dp在低边。 a.集成式降压转换器 图1 图1显示了用于集成式降压转换器的evb前端。这里有4个热源:电感器(hs1),驱动ic(hs2),高边mosfet(hs3)和低边mosfet(hs4)。sic739 drmos是一个单芯片解决方案,其内部包含的hs2、hs3和hs4靠得非常近。由于这里有4个热源,因此s是一个4x4矩阵。 图2显示了当低边mosfet的体二极管是前向偏置时(ar0x avg. => hsx),4个热源的温度。 如果 ta 为 23.3
vishay推出新型第三代 trenchfet 功率 mosfet 系列的首款器件。该器件具有破纪录的导通电阻性能和导通电阻与栅极电荷乘积指标。 新型 trenchfet 第三代 si7192dp 是一款采用 powerpak so-8 封装的 n 沟道器件,在 4.5v 栅极驱动电压下具有 2.25 毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是 dc-dc 转换器应用中 mosfet 的关键优值系数(fom),vishay 推出的si7192dp器件的 fom 值为 98 --- 创造了任何采用 so-8 封装的 vds = 30v、vgs = 20 v 器件的新的业界纪录。与分别为实现低导通损耗和低开关损耗而优化的最接近的竞争器件相比,vishay的新器件代表了最佳的可用规格。更低的导通电阻及更低的栅极电荷意味着更低的导通损耗和更低的开关损耗。 vishay siliconix si7192dp 将作为同步降压式转换器及次级同步整流和 or-ing 应用中的低端 mosfet,其低导通及低开关损耗将有助于稳压器模块(vrm)、服务器及采用负载点(pol) 功率转换器的众多系统实现更
vishay推出新型第三代 trenchfet® 功率 mosfet 系列的首款器件。该器件具有破纪录的导通电阻性能和导通电阻与栅极电荷乘积指标。 新型 trenchfet 第三代 si7192dp 是一款采用 powerpak® so-8 封装的 n 沟道器件,在 4.5v 栅极驱动电压下具有 2.25 毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是 dc-dc 转换器应用中 mosfet 的关键优值系数(fom),vishay 推出的si7192dp器件的 fom 值为 98 --- 创造了任何采用 so-8 封装的 vds = 30v、vgs = 20 v 器件的新的业界纪录。与分别为实现低导通损耗和低开关损耗而优化的最接近的竞争器件相比,vishay的新器件代表了市场上最佳的可用规格。更低的导通电阻及更低的栅极电荷意味着更低的导通损耗和更低的开关损耗。 vishay siliconix si7192dp 将作为同步降压式转换器及次级同步整流和 or-ing 应用中的低端 mosfet,其低导通及低开关损耗将有助于稳压器模块(vrm)、服务器及采用负载点(pol)
日前,vishay intertechnology, inc.推出新型第三代 trenchfet® 功率 mosfet 系列中的首款器件,该器件具有破纪录的导通电阻规格及导通电阻与栅极电荷乘积。 新型 trenchfet 第三代 si7192dp 是一款采用 powerpak® so-8 封装的 n 通道器件,在 4.5v 栅极驱动电压时具有 2.25 毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对 mosfet 的关键优值 (fom),该值为 98,是任何采用 so-8 封装的 vds= 30v、vgs= 20 v 器件的新业界标准。与分别为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近竞争器件相比,这些代表了市场上最佳的现有规格。更低的导通电阻及更低的栅极电荷分别可转变成更低的传导损失及更低的开关损失。 vishay siliconix si7192dp 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 or-ing 应用中作为低端 mosfet。其低导通及开关损失将使稳压器模块 (vrm)、服务器及使用负载点 (pol) 功率转换的众多系统实现功效更高且