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si7135dp中文资料

  • Vishay推出功率MOSFETSi7633DP与Si7135DP

    日前,vishay intertechnology, inc. 日前宣布推出新型20v和30v p通道trenchfet功率mosfetsi7633dp和si7135dp。这次推出的器件采用so-8封装,具有±20v栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同类so-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24mω ,而vishay的si7633dp具有3.3mω(在10v时)及5.5mω(在4.5v时)的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30v器件低27%(在10v时)和28%(在4.5v时),比最接近的同类25v so-8器件分别低28%和15%。30-v si7135dp的导通电阻为 3.9mω(在10v时)和6.2mω(在4.5v时),比最接近的同类器件分别低13%(在10v时)和19.5%(在4.5v 时)。 这次推出的两款mosfet均采用powerpak so-8封装,可容许比其它so-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。 这两款新型器件可用作适配器切换开关,用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间

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