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Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术首款器件
日前，vishay intertechnology, inc.发布采用其新型p通道trenchfet第三代技术的首款器件——si7137dp，该 20v p通道 mosfet 采用 so-8 封装，具备业内最低的导通电阻。新型 si7137dp具有 1.9 mω(在 10 v 时)、2.5 mω(在 4.5 v 时)和 3.9 mω(在 2.5 v 时)的超低导通电阻。trenchfet 第三代 mosfet 的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上 p 通道功率 mosfet 更低的功耗执行切换任务。 si7137dp 将用作适配器开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间切换)一直处于导通状态，消耗电流。si7137dp 的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。对于使用 20v 器件足够的应用，si7137dp 令设计人员无须依赖 30v 功率 mosfet，直到最近 30v 功率 mosfet 才成为具有如此低导通电阻范围的唯一 p 通道器件。最接
Vishay推出突破性P沟道功率MOSFET
(v) vgs (v) rds(on) (mΩ) at vgs = 10v 4.5v 2.5v 1.8v 1.5v sib457edk powerpak sc-75 - 20 8 35 49 72 130 sia921edj powerpak sc-70 - 20 12 59 98 si7615dn powerpak 1212-8 - 20 12 3.9 5.5 9.8 si7137dp powerpak so-8 - 20 12 1.9 2.5 3.9 si7145dp powerpak so-8 - 30 20 2.6 3.75 sib457edk规定了四个栅极至源极电压条件下的导通电阻额定值，包括使设计以较小的输入电压实现较高的安全裕量的1.5v额定值。同时，其紧凑的powerpak sc-75封装可减少电源电路所需的空间，为其他产品功能或实现更小的最终产品开辟了空间。sib457edk还采用了2500v典型

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