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SI5975DC-T1-E3

更新时间:2025-04-22 05:51:34
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SI5975DC-T1-E3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：86 毫欧 @ 3.1A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?
  • 包装：带卷 (TR)
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