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SI6463DQ

更新时间:2024-03-22 12:20:19
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SI6463DQ 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=-8.8A
    电压参数:UDSS=-20V/UGSS=±12V
    功率:PD=1.3W
    其他参数:4.5V/10mΩ、2.5V/14
    极  性:P

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  • 大小:97.67KB
  • 厂家:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
  • 漏极连续电流:- 8.8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):10 m Ohms
  • 配置:Single Triple Drain Quad Source
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TSSOP-8
  • 封装:Reel
  • 下降时间:14 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:1.3 W
  • 上升时间:14 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 典型关闭延迟时间:130 ns

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