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SI6552DQ-T1

更新时间:2025-06-10 11:33:18
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SI6552DQ-T1 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 晶体管极性
    N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    20 V, - 12 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 8 V
  • 漏极连续电流
    +/- 2.8 A, +/- 2.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    80 mOhms, 100 mOhms
  • 配置
    Dual Dual Source
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TSSOP-8
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    66 ns, 35 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    12 S, 7 S
  • 栅极电荷 Qg
    16 nC, 9 nC
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    1 W
  • 上升时间
    66 ns, 35 ns
  • 工厂包装数量
    3000
  • 典型关闭延迟时间
    56 ns, 43 ns
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