102S41W103KV4E
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SMD/24+
原厂代理，一级代理
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102S41N681KV4E
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SMD/2519+
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102S41W103KV42
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ROHS/2025+
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102S41W103KV4E
10000pF 1000V (1kV) Ceramic Capacito...
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102S43W103KV4E
10000pF 1000V (1kV) Ceramic Capacito...
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10000pF 1000V (1kV) Ceramic Capacito...
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102S43W473KV4E
0.047μF 1000V (1kV) Ceramic Capacit...
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102S48W104KV4E
0.10μF 1000V (1kV) Ceramic Capacito...
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的变化[11]。davenas 对离子注入聚乙炔膜的稳定性作了研究。用碘离子注入聚乙炔后，聚乙炔样品对氧的敏感性降低[2,5]。100℃时离子注入聚乙炔在10小时内稳定性显著地保持，而用碘化学掺杂的聚乙炔样品在同样时间内掺杂浓度减小了一半[5] 。 用化学掺杂不能使其电导率增加的聚合物（例聚乙烯咔唑(pvk)）用离子注入可增加其电导率[6]。用高能离子辐照聚合物膜，使其电阻率降低十几个数量级,最终变得导电。e≥300kev时,聚甲基丙烯酸甲脂,聚乙烯,聚苯乙稀,聚酰亚胺经离子辐射后变成导体(σ≈102s·cm-1)[11]，200kev br+注入绝缘物质pan(聚丙烯晴)、ppo、pps(聚苯硫醚)，电导率增加14个数量级[6]。用2mevar+辐射hpr-204膜到剂量1017ion/cm2，ρ≈10-3ω·cm，已导电）[7,9]。利用这个性质，可用离子束在绝缘聚合物上制作高电导率的图样，制作导电通路。特别在集成电路中用来作第一导电层和第二导电层之间的导电通路。也可用来制作三维集成电路互连接。尽管在剂量大于1016ion/cm2 ar+时，辐照(2mev ar+)的聚合物膜的电阻率低和电
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