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层台面为e区接触，第2层台面为c区接触，最下层台面位于si-gaas衬底上，压焊垫位于此台面上。最上层台面与第二层台而之间的双势垒结构(dbs)外侧，沉积一层si02薄膜，起钝化表面和隔离crau与其下面材料短路作用。为提高rtd的fmax增加si02厚度或采用空气桥结构，并尽量减小e区面积ae，这里取ae=4×4μm2。3．4 器件特性[7]当rtd的ae=5×5μm2，直流参数：正向e接地，vp＝0.6v，lp=1.3ma，vv=1.05v，iv=0．25ma，rn=-429，jp=5.2×103a cm-3，pvcr=5.2；反向c接地，vp=0.85 v，ip=1.9ma，vv＝1.3a，iv＝0.25ma，rn=-273，峰值电流密度jp=7.6×103a cm-3，pvcr=7.6，fmax=26.3ghz。当rtd的ae=4 x 4μm2，直流参数；正向e接地，vp=0.6v，ip=1.3ma，vv=0.65v，iv=0.42ma，rn=-57，jp=8.1×103a cm-2，pvcr=3.1，fmax=54ghz。2002年11月清华大学微电子所利用自制的高真外延设备gs40
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