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摘 要： 提出一种使用xilinx 公司生产的低功耗cpld芯片xcr3032来实现微控制器与大容量fl ash存储器相接口的方法。文中在介绍xcr3032 cpld和flash存储器k9k1g08u0m的基础上，给 出了接口电路、工作原理和verilog hdl实现方法。 关键词：xcr3032；flash存储器；k9k1g08u0m；verilog hdl flash存储器（flash memory）是非易失存储器，即使在供电电源关闭后仍然能保留信 息， 可以对存储器单元块进行擦除和再编程，并且不需要额外的编程电压。flash存储器具有工 作电压低、擦写速度快、功耗低、寿命长、价格低廉、控制方法灵活、体积小等优点。近年 来，flash存储器在嵌入式系统代码存储和大容量数据存储领域中得到了广泛的应用。本文 介绍了使用xcr3032实现k9k1g08u0m与微控制器的接口原理，给出了veriloghd l实现程序。对大容量flash存储器的接口设计具有一定的参考价值。 1xcr3032 xcr3032是xilinx公司生产的coolrunner xpla3系列cpld。他具有如下特
因素 1、页数量 前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512mb、1gb的需要4个周期，而2、4gb的需要5个周期。 2、页容量 每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存（4gb）提高了页的容量，从512字节提高到2kb。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m为例，前者为1gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4gb，2kb页容量，随机读（稳定）时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20mhz。 读取性能 nand型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器（随机读稳定时间）→数据传出（每周期8bit，需要传送512+16或2k+64次）。 k9k1g08u0m读一个页需要： 5个命令、寻址周期×50ns+12μs+（512+16）
些？ 1．页数量 前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512mb、1gb的需要4个周期，而2、4gb的需要5个周期。 2．页容量 每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存(4gb)提高了页的容量，从512字节提高到2kb。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m为例，前者为1gb，512字节页容量，随机读(稳定)时间12μs，写时间为200μs；后者为4gb，2kb页容量，随机读(稳定)时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20mhz。 读取性能：nand型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit，需要传送512+16或2k+64次)。 k9k1g08u0m读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50
电源电压：Vcc＝2.7—3.6V； 结构：存储器单元阵列：,(128M+4096K)X8位﹐数据存储器：(512+16)X8位； 自动编程和擦除：页编程：(512+16)字节﹐块擦除：(16K+512)字节； 528字节页读操作：随机存取：12μs(最大值)，串行访问：50ns (最小值)； 快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)； 指令/地址/数据复用I/O端口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定； 可靠的 CMOS准浮栅技术﹐100k次编程/擦除周期﹐10年的数据保留 时间； 指令存储器操作； 封装：48引脚的TSOP封装； 同时4页/块编程/擦除
摘 要： 提出一种使用xilinx 公司生产的低功耗cpld芯片xcr3032来实现微控制器与大容量fl ash存储器相接口的方法。文中在介绍xcr3032 cpld和flash存储器k9k1g08u0m的基础上，给 出了接口电路、工作原理和verilog hdl实现方法。 关键词：xcr3032；flash存储器；k9k1g08u0m；verilog hdl interface design of mass flash memory based on xcr3032 men yabin， han jiaxin (national ocean technology center,tianjin, 300111, china) abstract： this paper puts forward an interface method of mass flash memory based on ultra low power cpld chip xcr3032 manufactured by xilinx. after introduced th e xcr3032 cpld chip
1．页数量 越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512mb、1gb的需要4个周期，而2、4gb的需要5个周期。 2．页容量 每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存(4gb)提高了页的容量，从512字节提高到2kb。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m为例，前者为1gb，512字节页容量，随机读(稳定)时间12μs，写时间为200μs；后者为4gb，2kb页容量，随机读(稳定)时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20mhz。 读取性能：nand型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit，需要传送512+16或2k+64次)。 k9k1g08u0m读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；k9k1g08u0
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