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便只占用了4 个i/0 口，达到合理有效的使用f2812 片上资源的目的。12 路开出量，主要用于各种故障的跳合闸和报警使用。本系统采用由12 个i/o 口发出开出量信号，为了防止干扰引起的误动，另外提供了1 个i/0 口实现对开出信号的开放与闭锁功能。只有当开出信号开放时，开出量再经过达林顿型（un2003）光电隔离后输出，驱动外部继电器，实现保护出口动作。 2.1.3 外扩存储模块 为了满足系统运行、参数定值保存、故障录波和故障报警信息记录的要求。该装置外扩了一片64m 的闪存（k9k1208uom） 和256k 的ram（is61lv25616l）。f2812 的外部存储器接口xintf 是一种非多路选通的异步总线。它包括：19 位地址线，16 位数据线，3 个片选控制线及读写控制线。这3 个片选线映射到5 个存储区域，zone0,zone1,zone2,zone6和zone7.其中zone0,zone1 共用一个片选线，zone6 和zone7 共用一个片选线。且每个区都有独立的等待状态、选通信号建立和保持时间，都能通过编程实现设置。这便可使f2812 与一些外部存储器之间实现无缝连接
兆字节1美元的价格限制。（4） 芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1gb nand技术闪速存储器。据称这种flash memory可以存储560张高分辨率的照片或32首cd质量的歌曲，将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。samsung采用了许多dram的工艺技术，包括首次采用0.15μm的制造工艺来生产这颗flash。已经批量生产的k9k1208uom采用018μm工艺，存储容量为512mb。 ultranand amd与fujistu共同推出的ultranand技术，称之为先进的nand闪速存储器技术。它与nand标准兼容：拥有比nand技术更高等级的可靠性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的应用中体现出nand技术的成本优势；它没有失效块，因此不用系统级的查错和校正功能，能更有效地利用存储器容量。 与dinor技术一样，尽管ultranand技术具有优势，但在当前的市场上仍以nand技术为主流。ultranand 家族的
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