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  • Atmel推出业界首个使用SOI技术的汽车负载驱动集成电路

    emc性能提高且可靠性最大化，价格不到1美元 先进半导体解决方案开发制造领域的全球领导厂商 atmel(r) corporation日前宣布推出驱动集成电路 (ic) ata6826，这是市面上首个采用高电压 bcd-soi 技术 (smartis(tm)) 的产品。新的驱动集成电路的性能有所改善，具有众多保护功能且价格极具吸引力。ata6826 的设计目的是，在汽车应用中通过一个微控制器控制两个直流电机或三个不同负载。这些汽车应用包括车镜位置控制及汽车环境控制等车身电子系统。该设备具有高达40伏的高电压能力，因此，ata6826 也适用于24伏特的卡车或工业应用。 与标准 bcdmos 体效应技术 (bulk technology) 不同，smartis 技术使用 soi（绝缘体硅）层，从而实现了极低的漏电量，并显著减少同一模具上电源与数字电路间的串扰，同时，寄生效应的减少也提高了 emc（电磁兼容）性能。芯片尺寸的减少（门密度为 0.5-um cmos）使设计具有成本效益且功能强大的高电压电源驱动集成电路成为可能。smartis 技术通过降低用于实现适合的掺杂度与设备绝

  • Atmel推出业界首个使用SOI技术的汽车负载驱动IC

    atmel corporation日前宣布推出驱动ic ata6826，这是市面上首个采用高电压bcd-soi技术的产品。新的驱动ic的性能有所改善，具有众多保护功能且价格极具吸引力。 ata6826的设计目的是在汽车应用中通过一个微控制器控制两个直流电机或三个不同负载。这些汽车应用包括车镜位置控制及汽车环境控制等车身电子系统。该设备具有高达40伏的高电压能力，因此，ata6826也适用于24伏特的卡车或工业应用。 与标准bcdmos体效应技术(bulk technology)不同，smartis技术使用soi(绝缘体硅)层，从而实现了极低的漏电量，并显著减少同一模具上电源与数字电路间的串扰，同时，寄生效应的减少也提高了emc(电磁兼容)性能。芯片尺寸的减少(门密度为0.5-um cmos)使设计具有成本效益且功能强大的高电压电源驱动ic成为可能。smartis技术通过降低用于实现适合的掺杂度与设备绝缘性能所需的较高的能量消耗，简化了ic制造流程，从而降低了制造成本。 ata6826具有三个高端和三个低端驱动，每个驱动均可将电流提高至1安培。这些驱动通过内部连接形成三个半桥，操作人员

  • Atmel推首款SOI负载驱动IC，10万件单价不足1美元

    atmel日前宣布推出驱动ic ata6826，这是市面上首个采用高电压bcd-soi技术的产品。新的驱动ic的性能有所改善，具有众多保护功能且价格极具吸引力。ata6826的设计目的是在汽车应用中通过一个微控制器控制两个直流电机或三个不同负载。这些汽车应用包括车镜位置控制及汽车环境控制等车身电子系统。该设备具有高达40伏的高电压能力，因此，ata6826也适用于24伏特的卡车或工业应用。 与标准bcdmos体效应技术(bulk technology)不同，smartis技术使用soi(绝缘体硅)层，从而实现了极低的漏电量，并显著减少同一模具上电源与数字电路间的串扰，同时，寄生效应的减少也提高了emc(电磁兼容)性能。芯片尺寸的减少(门密度为0.5-um cmos)使设计具有成本效益且功能强大的高电压电源驱动ic成为可能。smartis技术通过降低用于实现适合的掺杂度与设备绝缘性能所需的较高的能量消耗，简化了ic制造流程，从而降低了制造成本。 ata6826具有三个高端和三个低端驱动，每个驱动均可将电流提高至1安培。这些驱动通过内部连接形成三个半桥，操作人员可从一个标准串行数据接口对这些驱动

  • Atmel推出基于SOI的汽车负载驱动IC ATA6826

    atmel宣布推出驱动集成电路 (ic) ata6826，采用高电压 bcd-soi 技术 (smartis(tm))。新的驱动集成电路的性能有所改善，具有众多保护功能且价格极具吸引力。ata6826 的设计目的是，在汽车应用中通过一个微控制器控制两个直流电机或三个不同负载。这些汽车应用包括车镜位置控制及汽车环境控制等车身电子系统。该设备具有高达40伏的高电压能力，因此，ata6826 也适用于24伏特的卡车或工业应用。 与标准 bcdmos 体效应技术 (bulk technology) 不同，smartis 技术使用 soi（绝缘体硅）层，从而实现了极低的漏电量，并显著减少同一模具上电源与数字电路间的串扰，同时，寄生效应的减少也提高了 emc（电磁兼容）性能。芯片尺寸的减少（门密度为 0.5-um cmos）使设计具有成本效益且功能强大的高电压电源驱动集成电路成为可能。smartis 技术通过降低用于实现适合的掺杂度与设备绝缘性能所需的较高的能量消耗，简化了集成电路制造流程，从而降低了制造成本。 具有三个高端和三个低端驱动，每个驱动均可将电流提高至1安培。这些驱动通过内部连接

  • Atmel推出业界首个使用SOI技术的汽车负载驱动IC

    atmel corporation日前宣布推出驱动ic ata6826，这是市面上首个采用高电压bcd-soi技术的产品。新的驱动ic的性能有所改善，具有众多保护功能且价格极具吸引力。 ata6826的设计目的是在汽车应用中通过一个微控制器控制两个直流电机或三个不同负载。这些汽车应用包括车镜位置控制及汽车环境控制等车身电子系统。该设备具有高达40伏的高电压能力，因此，ata6826也适用于24伏特的卡车或工业应用。 与标准bcdmos体效应技术(bulk technology)不同，smartis技术使用soi(绝缘体硅)层，从而实现了极低的漏电量，并显著减少同一模具上电源与数字电路间的串扰，同时，寄生效应的减少也提高了emc(电磁兼容)性能。芯片尺寸的减少(门密度为0.5-um cmos)使设计具有成本效益且功能强大的高电压电源驱动ic成为可能。smartis技术通过降低用于实现适合的掺杂度与设备绝缘性能所需的较高的能量消耗，简化了ic制造流程，从而降低了制造成本。 ata6826具有三个高端和三个低端驱动，每个驱动均可将电流提高至1安培。这些驱动通过内部连接形成三个半桥，操作人员可从

  • Atmel推出业界首个使用SOI技术的汽车负载驱动集成电路

    emc性能提高且可靠性最大化，价格不到1美元 先进半导体解决方案开发制造领域的全球领导厂商 atmel(r) corporation日前宣布推出驱动集成电路 (ic) ata6826，这是市面上首个采用高电压 bcd-soi 技术 (smartis(tm)) 的产品。新的驱动集成电路的性能有所改善，具有众多保护功能且价格极具吸引力。ata6826 的设计目的是，在汽车应用中通过一个微控制器控制两个直流电机或三个不同负载。这些汽车应用包括车镜位置控制及汽车环境控制等车身电子系统。该设备具有高达40伏的高电压能力，因此，ata6826 也适用于24伏特的卡车或工业应用。 与标准 bcdmos 体效应技术 (bulk technology) 不同，smartis 技术使用 soi（绝缘体硅）层，从而实现了极低的漏电量，并显著减少同一模具上电源与数字电路间的串扰，同时，寄生效应的减少也提高了 emc（电磁兼容）性能。芯片尺寸的减少（门密度为 0.5-um cmos）使设计具有成本效益且功能强大的高电压电源驱动集成电路成为可能。smartis 技术通过降低用于实现适合的

  • Atmel推首个使用SOI技术的汽车负载驱动IC

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ata6826替代型号

ATA6814 ATA6662 ATA6661 ATA6624 ATA6602 ATA6026 ATA5824 ATA5823 ATA5756 ATA5746

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