Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等应用中减少成本和板卡空间。

　　FM25H20是串行闪存的理想替代产品，用于要求低功耗和板卡空间的精密电子系统中，包括便携式医疗设备如助听器等，它们实际上是微型数据处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与闪存相比，F-RAM的优势包括大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出多个数量级。

　　FM25H20是256K x 8位非易失性存储器，以高达40MHz的总线速度进行读写操作，具有几乎无限的耐用性、10年的数据保存能力，以及低工作电流。该器件设有工业标准SPI接口，优化了F-RAM的高速写入能力。FM25H20还备有软件和硬件写保护功能，能避免意外的写入与数据损坏。

　　该2Mb串行F-RAM以低功耗工作，在40MHz下读/写操作的耗电低于10mA，待机状态下耗电为80µA (典型值)，超低电流睡眠模式下耗电为3µA (典型值)。FM25H20与同等串行闪存器件接脚兼容，并且具备快速存取、高耐用性和低工作电流等特性，比较闪存更为优胜。该器件在整个工业温度范围内 (-40℃ 至+85℃) 于2.7至3.6V电压下工作。

　　FM25H20以德州仪器公认的130纳米 (nm) CMOS制造工艺为基础。在标准CMOS 130 nm逻辑工艺内嵌入非易失性F-RAM模块，仅使用了两个额外的掩模步骤。

　　FM25H20现提供样品，并采用符合RoHS要求的8脚TDFN封装，与8脚SOIC封装器件占位面积兼容。