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IR MOSFET及控制芯片组方案
设计，该芯片组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。设计师可从100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四种directfet mosfet选择所需产品，组成完整的芯片组。这些mosfet采用ir最新技术及directfet封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，irf6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，irf6644的导通电阻降低了约48%。 irf6644的组合式导通电阻与栅电荷的主要指标优于同类方案45%。
用于下一代分布电源结构的直流总线变换器和负载点电源模块技术
ir2085s 控制器和驱动器ic 驱动两个irf6644 低电荷directfet封装功率mosfet，它是100v 的n-沟道功率mosfet。初级的偏置电压通过一个线性稳压器来获得，并用于启动，然后在稳态下由变压器获得。irf7380，是双80v n-沟道功率mosfet，集成在so-8封装内，被用于获得该功能。在次级，新颖的30v n-沟道irf6612 或irf6618 directfet封装功率mosfet用于自驱动的同步整流拓扑结构中。对于12v输出应用来说，新型的40v n-沟道irf6613 可用作同步整流mosfet，这个单元在小于1/8砖的外形达到了超过96%的效率，跟传统相比，效率大约高出3-5%，体积减少了50%，是完全稳压的、板上安装的功率变换器。在比较直流总线变换器的directfet封装与标准的so-8产品的性能时，这里有一些重要的结果。so-8产品由于热能力的原因限制功率在150w，除此之外， so-8产品经常并联使用。为了作比较，在半桥总线交换器的初级比较使用100v 的so-8产品和100v的 directfet产品时，directfet产品(

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组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。设计师可从100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四种directfet mosfet选择所需产品，组成完整的芯片组。这些mosfet采用ir最新技术及directfet封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，irf6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，irf6644的导通电阻降低了约48%。 irf6644的组合式导通电阻与栅电荷的主要指标优于同类方案

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