LTE21009R
NPN microwave power transistor
PHILIPS
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LTE21009R
NPN microwave power transistor
PHILIPS [Philips Semiconductors]
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2.2 放大电路设计 rf射频放大电路是本文设计的重点，它的性能好坏对该系统至关重要。由于输入信号频率从250 khz到1 ghz，频带很宽，这就要求放大器具有很好的带宽；而考虑到其他部分的插入损耗及pin管的衰减，在输入rf射频信号功率为+0 dbm±1.5 db时，功率放大增益至少为18 db才能保证输出信号为+13 dbm，单级放大已经无法满足。本文选用两级功率放大方式：前级放大器为低噪声放大器，选择philips公司的bfq34；后级为中功率放大器，选择了philips公司的lte21009r。 2.2.1 前级放大电路设计 alc环路前级放大器电路如图3所示，bfq34是一款高性能的放大器芯片，工作频率从dc到4 ghz，典型增益为16.3 db，压缩点p1db为26 dbm。gum是放大器最大增益，如下所示： 2.2.2 后级放大电路设计 后级放大电路选用hilips公司的lte21009r，lte21009也是一款高性能的放大器芯片，工作频率从dc到4.2 ghz，典型增益大于10 db，压缩点p1db为28 dbm,，alc环路
电流参数：IC=250mA电压参数：UCBO=40V/UCER=50V/UCEO=16V/UEBO=3V功 率：Ptot=4W其他参数：fT=2.1GHz极 性：NPN
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