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  • MM3Z6V2ST1G的技术参数

    产品型号:mm3z6v2st1g齐纳击穿电压vz最小值(v):6.060齐纳击穿电压vz典型值(v):6.200齐纳击穿电压vz最大值(v):6.330@izt(ma):100齐纳阻抗zzt(ω):10最大功率pmax(w):0.200芯片标识:te封装/温度(℃):sod323/-65~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱

  • MM3Z6V2ST1G的技术参数

    产品型号:MM3Z6V2ST1G
    齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.060
    齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200
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    @Izt(mA):100
    齐纳阻抗Zzt(Ω):10
    最大功率PMax(W):0.200
    芯片标识:TE
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mm3z6v2st1g替代型号

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