当前位置:维库电子市场网>IC>mm3z9v1st1g 更新时间:2024-04-24 20:26:52

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  • MM3Z9V1ST1G的技术参数

    产品型号:mm3z9v1st1g齐纳击穿电压vz最小值(v):8.850齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100齐纳击穿电压vz最大值(v):9.230@izt(ma):160齐纳阻抗zzt(ω):15最大功率pmax(w):0.200芯片标识:tk封装/温度(℃):sod323/-65~150价格/1片(套):¥.25 来源:零八我的爱

  • MM3Z9V1ST1G的技术参数

    产品型号:MM3Z9V1ST1G
    齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.850
    齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100
    齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.230
    @Izt(mA):160
    齐纳阻抗Zzt(Ω):15
    最大功率PMax(W):0.200
    芯片标识:TK
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mm3z9v1st1g替代型号

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