当前位置:维库电子市场网>IC>mm3z9v1t1g 更新时间:2024-03-29 18:26:56

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  • MM3Z9V1T1G的技术参数

    产品型号:mm3z9v1t1g齐纳击穿电压vz最小值(v):8.500齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100齐纳击穿电压vz最大值(v):9.600@izt(ma):5齐纳阻抗zzt(ω):15最大功率pmax(w):0.200芯片标识:0k封装/温度(℃):sod323/-65~150价格/1片(套):¥.25 来源:零八我的爱

  • MM3Z9V1T1G的技术参数

    产品型号:MM3Z9V1T1G
    齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.500
    齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100
    齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.600
    @Izt(mA):5
    齐纳阻抗Zzt(Ω):15
    最大功率PMax(W):0.200
    芯片标识:0K
    封装/温度(℃):SOD323/-65~150

mm3z9v1t1g替代型号

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