当前位置:维库电子市场网>IC>mm3z6v2t1g 更新时间:2024-04-27 16:21:46

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  • MM3Z6V2T1G的技术参数

    产品型号:mm3z6v2t1g齐纳击穿电压vz最小值(v):5.800齐纳击穿电压vz典型值(v):6.200齐纳击穿电压vz最大值(v):6.600@izt(ma):5齐纳阻抗zzt(ω):10最大功率pmax(w):0.200芯片标识:0e封装/温度(℃):sod323/-65~150价格/1片(套):¥.25 来源:零八我的爱

  • MM3Z6V2T1G的技术参数

    产品型号:MM3Z6V2T1G
    齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.800
    齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200
    齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.600
    @Izt(mA):5
    齐纳阻抗Zzt(Ω):10
    最大功率PMax(W):0.200
    芯片标识:0E
    封装/温度(℃):SOD323/-65~150

mm3z6v2t1g替代型号

MM3Z6V2ST1G MM3Z5V6T1G MM3Z5V6ST1G MM3Z5V1T1G MM3Z5V1ST1G MM3Z4V7ST1G MM3Z43VT1G MM3Z3V3TT1G MM3Z3V3ST1G MM3Z3V0T1G

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