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ntb60n06t4g
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ntb60n06t4g替代型号

当前位置：维库电子市场网>IC>ntb60n06t4g 更新时间:2026-04-30 04:59:02

ntb60n06t4g供应商优质现货

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供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
ntb60n06t4g
BOM配单
集好芯城，芯片集成，品质保证，60天账期支持
上传BOM

深圳市楚胜电子有限公司
NTB60N06T4G
22358
ON
D2PAK 3 LEAD/22+
房间现货，价格优势。

深圳市粤东诚信电子有限公司
NTB60N06T4G
30000
ONS
D2PAK/24+
原装，一站式BOM配单

深圳市岳泰达电子有限公司
NTB60N06T4G
12500
ONSEMI安森美
TO263/24+
16年老牌企业原装低价现货

深圳市正纳电子有限公司
NTB60N06T4G
29078
ON(安森美)
-/-
现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业

深圳市能元时代电子有限公司
NTB60N06T4G
84464
ON Semiconductor
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/25+
百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

深圳市诚研翔科技有限公司
NTB60N06T4G
5000
ON/安森美
TO263/22+
原装现货，配单助手

深圳市金华微盛电子有限公司
NTB60N06T4G
27500
ON/安森美
D2PAK/2025+
ON原装现货代理订货样品免费赠送

深圳市金嘉锐电子有限公司
NTB60N06T4G
16000
ON
D2PAK2/2026+
原装优势有货

深圳市科圳威电子有限公司
NTB60N06T4G
60701
ON
TSSOP/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照

深圳市永贝尔半导体有限公司
NTB60N06T4G
9200
VB
TO263(S)/23+
只做原装更多数量在途订单

深圳市华美锐电子有限公司
NTB60N06T4G
52701
ON/安森美
TO263/22+
只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市华美锐电子有限公司
NTB60N06T4G
676
ON SEMICONDUCTOR
-/-
公司现货，进口原装热卖

深圳市博伟奇电子有限公司
NTB60N06T4G
12260
ON
TSSOP/23+
高品质优选好芯

深圳市威尔健半导体有限公司
NTB60N06T4G
8500
ON/安森美
-/2025+
原装现货

深圳市优尚半导体科技有限公司
NTB60N06T4G
5000
ON
TSSOP/23+
优势产品大量库存原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司
NTB60N06T4G
6000
ON/安森美
TO252/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市捷立辉科技有限公司
NTB60N06T4G
96120
ON SEMICONDUCTOR
NA/22+
别划了原厂原装，有货的

深圳市晶美隆科技有限公司
NTB60N06T4G
68500
ON/安森美
SOT263/24+
假一罚十，原装进口现货供应，只做原装

深圳市誉辉天成电子有限公司
NTB60N06T4G
5000
ON/安森美
-/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务

深圳市亿科泰电子科技有限公司
NTB60N06T4G
22500
ON
D2PAK 3 LEAD/16+RoHS
保证质量质优价好给你

ntb60n06t4gPDF下载地址(大小:300.000KB)

序号元器件名功能描述生产厂商资料下载
NTB60N06T4G 60 V, 60 A, N−Channel TO−... ONSEMI NTB60N06T4GPDF下载
NTB60N06T4G MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK NTB60N06T4GPDF下载
NTB60N06T4G 60 V, 60 A, N−Channel TO−... ONSEMI [ON Semiconductor] NTB60N06T4GPDF下载

ntb60n06t4g价格行情

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历史最低报价：￥0.0000 历史最高报价：￥0.0000 历史平均报价：￥0.0000

型号厂家封装批号数量日期价格

ntb60n06t4g中文资料

ntb60n06t4g中文资料
相关应用

NTB60N06T4G的技术参数
产品型号:ntb60n06t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14最大漏极电流id(on)(a):60通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:60 v, 60 a功率mosfet价格/1片(套):￥11.20 来源:xiangxueqin

NTB60N06T4G的技术参数
产品型号:NTB60N06T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14
最大漏极电流Id(on)(A):60
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
描述:60 V, 60 A功率MOSFET
价格/1片(套):￥11.20

ntb60n06t4g替代型号

NTB60N06L NTB60N06 NTB5605PT4G NTB5605PG NTB5404NT4G NTB52N10T4G NTB52N10T4 NTB52N10 NTB45N06T4G NTB45N06

NTB65N02R NTB65N02RT4G NTB75N03L09G NTB75N03L09T4G NTB75N03R NTB75N06G NTB75N06L NTB75N06LT4G NTB75N06T4G NTB85N03

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