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  • NTB60N06T4G的技术参数

    产品型号:ntb60n06t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14最大漏极电流id(on)(a):60通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:60 v, 60 a功率mosfet价格/1片(套):￥11.20 来源:xiangxueqin

  • NTB60N06T4G的技术参数

    产品型号:NTB60N06T4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14
    最大漏极电流Id(on)(A):60
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
    描述:60 V, 60 A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥11.20

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