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ntd3055l供应商优质现货

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  • 7500

  • ONSemi/安森美

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ntd3055l价格行情

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ntd3055l中文资料

  • MOSFET与预驱动器的匹配技巧

    来。 在关闭期间,消隐定时器启动,同时存储的门电荷由mosfet通过rg缷除到地。在此期间,cmp感测mosfet的vds,并将其与不同的vref比较。如果在关闭消隐时间的末尾时mosfet的vds小于vref,就检测出可能的对地短路。在这种情况下,负载电流可以继续流动,但对地短路诊断状态获记录下来。 mosfet基础知识 mosfet已经应用多年,有关它们特性的文档也很齐全。但检视它的一些基础属性及数据表信息,可以在关键性能参数方面提供一些指引。我们将使用安森美半导体ntd3055l逻辑电平mosfet数据表作为示例。 mosfet数据表中常见的一个典型曲线是传递(transfer)特性曲线,如图2所示。这个曲线描绘了扫描vgs电压时饱和区域中的漏电流,在这个饱和区域中,vds保持在大于10v的某个恒定电压。这曲线通常在3种温度条件下捕获,图2中所示的3种温度分别是绿色线条代表的-55°c、黑色线条代表的25°c和红色线条代表的100°c。 大多数mosfet显示出零温度系数(tc)点特性;就ntd3055l而言,这个点出现于vgs ≈ 3.6v。对于给

  • NTD3055L170T4G的技术参数

    产品型号:NTD3055L170T4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170
    最大漏极电流Id(on)(A):9
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:9.0 A, 60 V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥2.60

  • NTD3055L170的技术参数

    产品型号:NTD3055L170
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170
    最大漏极电流Id(on)(A):9
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~175
    描述:9A,60V逻辑电平的功率MOSFET
    价格/1片(套):¥2.60

    ...

  • NTD3055L104T4G的技术参数

    产品型号:NTD3055L104T4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
    最大漏极电流Id(on)(A):12
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:12 A, 60 V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥2.60

  • NTD3055L104G的技术参数

    产品型号:NTD3055L104G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
    最大漏极电流Id(on)(A):12
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~175
    描述:12A,60V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥2.70


    &nb...

  • NTD3055L104-1G的技术参数

    产品型号:NTD3055L104-1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
    最大漏极电流Id(on)(A):12
    通道极性:N
    封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175
    描述:60V,12A,N沟道MOSFET
    价格/1片(套):暂无


    &nb...

ntd3055l替代型号

NTD3055-150T4G NTD3055-150-1G NTD3055-150 NTD3055-094T4G NTD3055-094 NTD2955T4G NTD2955 NTD25P03LT4G NTD25P03LG NTD25P03L

NTD3055L104 NTD3055L104-1G NTD3055L104G NTD3055L104T4G NTD3055L170 NTD3055L170T4G NTD30N02 NTD32N06G NTD32N06L NTD32N06LT4G

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