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  • NTD3055L104G的技术参数

    产品型号:ntd3055l104g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):104最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:12a,60v功率mosfet价格/1片(套):￥2.70 来源:xiangxueqin

  • NTD3055L104G的技术参数

    产品型号:NTD3055L104G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
    最大漏极电流Id(on)(A):12
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~175
    描述:12A,60V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥2.70


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