当前位置:维库电子市场网>IC>ntd3055l104-1g 更新时间:2024-04-27 22:32:05

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ntd3055l104-1g价格行情

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ntd3055l104-1g中文资料

  • NTD3055L104-1G的技术参数

    产品型号:ntd3055l104-1g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):104最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:n封装/温度(℃):dpak-3/-55~175描述:60v,12a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTD3055L104-1G的技术参数

    产品型号:NTD3055L104-1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
    最大漏极电流Id(on)(A):12
    通道极性:N
    封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175
    描述:60V,12A,N沟道MOSFET
    价格/1片(套):暂无


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