NTD4805NT4G
250
0537+/TO251
原装进口ON公司现货假一赔十
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1比1质量完美通用/包上机可供更多
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NTD4805N-D
Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N-Ch...
ON Semiconductor
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NTD4805N-1G
Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N...
ONSEMI [ON Semiconductor]
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NTD4805N-35G
Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N...
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率更高。 器件 其中8款新型功率mosfet器件采用dpak封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。 器件 vds id rdson @ 10 v qg (典型) ntd4804n 30 v 117 a 4 mΩ 30 nc ntd4805n 30 v 88 a 5 mΩ 20.5 nc ntd4806n 30 v 76 a 6 mΩ 15 nc ntd4808n 30 v 63 a 8 mΩ 11.3 nc ntd4809n
直在拓展powerfet产品系列,以提供业内品种最多的mosfet。因为安森美半导体有多种生产这些新型mosfet器件的制造资源,所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。” 器件 其中8款新型功率mosfet器件采用dpak封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。 器件 vds id rdson @ 10 v qg (典型) ntd4804n 30 v 117 a 4 m? 30 nc ntd4805n 30 v 88 a 5 m? 20.5 nc ntd4806n 30 v 76 a 6 m? 15 nc ntd4808n 30 v 63 a 8 m? 11.3 nc ntd4809n 30 v 58 a 9 m? 10.7 nc ntd4810n 30 v 54 a 10 m? 9 nc ntd4813n 30 v 40 a 13 m? 6.9 nc ntd4815n 30 v 35 a 15 m? 6 nc 其他10 款新
产品型号:NTD4805NT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5
最大漏极电流Id(on)(A):88
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~175
描述:88A,30V功率MOSFET
价格/1片(套):¥5.50
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产品型号:NTD4805N-1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5
最大漏极电流Id(on)(A):88
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175
描述:30V,88A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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