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  • NTD4806NT4G的技术参数

    产品型号:ntd4806nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6最大漏极电流id(on)(a):76通道极性:n封装/温度(℃):dpak-4/-55~175描述:30v,76a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTD4806NT4G的技术参数

    产品型号:NTD4806NT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6
    最大漏极电流Id(on)(A):76
    通道极性:N
    封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
    描述:30V,76A,N沟道MOSFET
    价格/1片(套):暂无


     &n...

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