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per53的替代产品。 当viper53e用于二侧稳压功能时,vdd电源电压范围9v到18v ,因此,电源设计人员可以更加灵活地选择变压器。 这个器件还具备其它优点,例如,反馈监控和延时设备复位可以控制过载和短路条件;通过改进器件跳跃脉冲的方式提高了待机效率;集成的启动电流源在正常工作时被关断,以降低所需的输入功率。 新产品还具有其它保护功能,如超过18v的过压保护以及欠压保护、过热保护和过漏流保护等。从外部可以把开关频率设定到300khz。 这个器件采用贴面封装dip-8 和 powerso-10 封装,定货量1万件的单价为0.90美元。 来源:零八我的爱
发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1000件,单价4.50美元。 来源:小草
发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1000件,单价4.50美元。 来源:小草
一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on) 极低,只有800微欧 (0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1000件,单价4.50美元。
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引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1,000件,单价4.50美元。
减小电源系统的电力损耗及提高转换效率。 为提高服务器电源系统的可靠性,一般采用并联电源,使系统具有冗余性,或者增大电源容量的办法。此前,这种电源系统采用的是二极管。近年来,为进一步提高性能,很多厂商使用mosfet取代了二极管。意法半导体此次上市的产品,利用引线带楔焊键合(ribbon bonding)技术使用电阻比金属线低的带状引线进行封装,减小了导通电阻。这样,在降低高效dc-dc转换器的二次整流损耗方面,可以实现20v的最优元件,将关闭性能高速化,提高保护性能。 该产品采用powerso-10封装,1000个批量购买时的单价约4.50美元。
st开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1000件,单价4.50美元。