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  • Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω

    换器中实施成本更低的更小型有源钳位设计。 推出的这些功率mosfet主要面向电信、数据通信和工业产品的dc-dc转换器中的初级端(primary-side)有源钳位电路。凭借其所具有的占位面积和1.2ω~2.35ω的导通电阻值,这些功率mosfet在该领域体现了业界最佳的导通电阻水平。 除采用sc-70和sot-23封装的器件外,siliconix还正在推出面向同样应用的两款powerpak so-8器件。-150v si7439dp提供了0.09mω的导通电阻值,而-200v si7431dp的额定电阻值为0.174mω。 来源:小草

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