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  • 一种求解每个热源功率损耗的新方法

    j个热源消耗的功率。所有其他器件都不起作用。 每次我们都使用简单的直流技术给一个热源供电，这样就可以以非侵入式方式测量热敏感度的系数。我们对被测器件（ic，mosfet和电感器）施加直流电压和电流，迫使器件开始消耗能量，然后测出pj。然后我们使用热成像摄像机测量表面温度的？ti，接着就可以用上面的等式（6）计算出sij。 我们使用了新的方法学计算两个降压拓扑的主热源：一个使用sic739d8 drmos ic的集成式功率级，和一个使用两个mosfet的分立式功率级，在分立式功率级中，si7382dp在高边，si7192dp在低边。 a.集成式降压转换器 图1 图1显示了用于集成式降压转换器的evb前端。这里有4个热源：电感器（hs1），驱动ic（hs2），高边mosfet（hs3）和低边mosfet（hs4）。sic739 drmos是一个单芯片解决方案，其内部包含的hs2、hs3和hs4靠得非常近。由于这里有4个热源，因此s是一个4x4矩阵。 图2显示了当低边mosfet的体二极管是前向偏置时（ar0x avg. => hsx），4个热源的温度。

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