美国科学家成功制造出波长255nm、功率0.57W以及波长250nm、功率0.16W的紫外发光二极管(LED)。该组件目前尚未封装，该研究小组希望藉由覆晶接合(flip-chip bonding)能将功率等级提高3到5倍。此波段的极深紫外光(ultradeep ultraviolet, UDUV)光源未来可能取代水银灯泡，作为生物与化学传感器的激发光源。 

　　南卡罗来纳大学的Asif Khan等人生长出含铝量高达72﹪的高品质AlGaN层，并以它们做为发光二极管结构中的批覆层(cladding)，用来制造UDUV组件。研究人员采用蓝宝石做为LED基板，沉积的层是AlN缓冲层，接着是十层的AlN/AlGaN超晶格(superlattice)，接着是厚度1.4微米的Al0.72Ga0.28N批覆层。 

　　该小组表示，选用铝含量72﹪的AlGaN层是为了使材料在波长250nm时材料仍为透明，这一层是决定组件性能的关键。工作区(active region)包含3个量子井(quantum wells)，改变铝含量可使发射波长在250至200nm之间做调整。 

　　研究人员在脉冲偏压条件(pulsed biased conditions)下测试了波长为255nm的200平方微米的组件以及波长为250nm的150平方微米的组件，两者的尖峰输出功率对应的激发电流分别为200mA与300mA，射极(emitter)的外部量子效率(external quantum efficiencies)分别为0.015﹪及0.01﹪。