在标准R负载测量技术中（如图5所示），一个电阻与DUT串联，通过测量负载电阻上的电压就可以测出流过DUT的电流。采用有源、高阻抗探针和示波器[1]记录负载电阻上的电压。流过DUT的电流等于施加的电压（VAPPLIED）减去器件上的电压（VDEV），再除以负载电阻。负载电阻的大小范围通常从1千欧到3千欧。这种技术采用了一种折衷：如果负载电阻太高，RC效应以及电压在R负载和DUT上的分配将会限制这种技术的性能；但是，如果电阻值太小，它会影响电流的分辨率。

　　图5.标准R负载技术
　　近，我们研究出了一种新的不需要负载电阻的限流技术。通过紧密控制电流源的大小，可以对于RI曲线中的低电流进行更的特征分析。这种新技术（如图6所示）能够通过脉冲扫描同时获得I-V和RI曲线，其中采用了高速脉冲源和测量仪器，即双通道的4225-PMU[2]超快I-V模块。这种新模块能够提供电压源，同时以较高的测量电压和电流响应，上升和下降时间短至20ns。
　　去掉负载电阻也就消除了回折的副作用。4225-PMU模块[3]以及用于扩展其灵敏度的4225-RPM[4]远程放大器/开关（如图7所示）可用于4200-SCS型[5]半导体特征分析系统，其不仅具有对PCM器件进行特征分析所必需的测量功能，而且能够自动实现整个测试过程。

　　图6.采用4225-PMU的限流技术

　　图7.4225-PMU超快I-V模块和两个4225-RPM远程放大器/开关，
　　适用于吉时利4200-SCS型特征分析系统