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标准的R负载测量技术以及吉时利新型测量技术

出处:21ic 发布于:2018-07-11 13:47:13 | 695 次阅读

  在标准R负载测量技术中(如图5所示),一个电阻与DUT串联,通过测量负载电阻上的电压就可以测出流过DUT的电流。采用有源、高阻抗探针示波器[1]记录负载电阻上的电压。流过DUT的电流等于施加的电压(VAPPLIED)减去器件上的电压(VDEV),再除以负载电阻。负载电阻的大小范围通常从1千欧到3千欧。这种技术采用了一种折衷:如果负载电阻太高,RC效应以及电压在R负载和DUT上的分配将会限制这种技术的性能;但是,如果电阻值太小,它会影响电流的分辨率。


  图5.标准R负载技术
  最近,我们研究出了一种新的不需要负载电阻的限流技术。通过紧密控制电流源的大小,可以对于RI曲线中的低电流进行更精确的特征分析。这种新技术(如图6所示)能够通过一次脉冲扫描同时获得I-V和RI曲线,其中采用了高速脉冲源和测量仪器,即双通道的4225-PMU[2]超快I-V模块。这种新模块能够提供电压源,同时以较高的精度测量电压和电流响应,上升和下降时间短至20ns。
  去掉负载电阻也就消除了回折的副作用。4225-PMU模块[3]以及用于扩展其灵敏度的4225-RPM[4]远程放大器/开关(如图7所示)可用于4200-SCS型[5]半导体特征分析系统,其不仅具有对PCM器件进行特征分析所必需的测量功能,而且能够自动实现整个测试过程。


  图6.采用4225-PMU的限流技术


  图7.4225-PMU超快I-V模块和两个4225-RPM远程放大器/开关,
  适用于吉时利4200-SCS型特征分析系统

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