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Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET

出处:维库电子市场网 发布于:2019-03-14 14:34:59 | 1378 次阅读

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK? SO-8L封装,有效提升板级可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通过AEC-Q101认证,占位面积比DPAK封装器件减小50%以上,节省PCB空间并降低成本,同时导通电阻低于任何鸥翼引线结构5 mm x 6 mm封装MOSFET。
  由于需要很高功率,12 V汽车系统马达驱动和主电源要求MOSFET在各种应用中具有极低的导通电阻,如电池反向极性保护和高边开关。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V条件下,导通电阻分别为4.4 m和7.0 m,完全可以满足这种要求。此外,作为p沟道MOSFET,两款器件是理想的负载开关,不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。
  日前发布的MOSFET工作温度可达+175 C,同时鸥翼引线结构可缓解温度循环过程中、主板弯曲、振动和意外跌落产生的机械应力,与刚性QFN封装相比,具有更加优异的板级可靠性。鸥翼引线结构还有助于自动光学检测 (AOI) 过程获得更加一致可靠的结果。
  器件采用无铅 (Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。
  SQJ407EP和SQJ409EP现可提供样品并已实现量产。
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