考虑到室外温度越高,冰箱内需要的温度越低,可选择负温度系数热敏电阻器(NTC),即随着温度的升高,热敏电阻的阻值降低。 具体的热敏电阻选型参考依据如下。 (1)...
总谐波失真(THD) 是与线路基频(例如60Hz)相比的线路上的谐波量。THD 考虑了线路上的所有谐波频率。THD 可以与电流谐波或电压谐波相关,可以使用以下公式来计算线路电压的...
在许多电池供电的应用中,电池输出相对较低,例如单节 AA 电池的1.5 V 输出电压 (V OUT )。同时,后端IC或附属电路需要较高的输入电压(V IN )。在这些系统中,升压转换器(...
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高...
分类:电子测量 时间:2024-04-26 阅读:495 关键词:逆变器SiC MOSFET
文深入探讨了模拟直流电流表的基本要素。我们将首先讨论电流表电阻,并说明如何使用称为分流器的电阻器与 PMMC(永磁动线圈)并联来准确测量更大的电流。本文还探讨了多量...
EMI 测量是使用电源输入端的 LISN 进行的。LISN 为测量提供定义的源阻抗并消除低频信号。 图 1:标准 LISN 图 1 显示了标准 LISN。接收器中的 50Ω 终端带有 100...
功率扼流圈测试仪DPG10系列的脉冲测量方法比其他电感测量方法具有优势。它可用于从小型 PCB 安装电感器到重达数吨的电感器。借助新的测试适配器,与 LCR 表相比,现在可以...
了解 VNA 测量的 12 项误差模型和 SOLT 校准方法
使用信号流图开发错误模型 通过检查 VNA 的通用框图,我们可以开发测量系统的误差模型。考虑图 1 中的测量框图,该框图用于测量 DUT 的输入反射 ( S 11 ) 和前向传输 ( ...
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场,因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而,电路设计...
分类:电子测量 时间:2024-03-09 阅读:343 关键词:共栅氮化镓FET
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可...
瓦特表是电流表和电压表的组合。它测量电压和电流并确定最终的功率。 电力是使用称为瓦特计的仪器来测量的。瓦特表由两个线圈组成——一个用于测量电流,另一个用于测量...
旋转编码器是一种安装在旋转轴上并检测其运动的传感器。常用的设备包括鼠标(球型)和滚轮。对于工业用途,它们内置于伺服电机中并用于检测电机的角度位置。通用旋转编码器...
矢量网络分析仪 (VNA) 是适用于射频和微波应用的最精确的测量仪器之一。例如,现代 VNA 测量射频功率的精度可能比任何其他功率传感器更高。这种精度很大一部分来自于适用于...
MCU 测试芯片嵌入 10.8 Mbit STT-MRAM 存储器
具有 10.8 Mbit 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 存储单元阵列的原型 MCU 测试芯片(采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工艺制造)声称可以实现超过 200 MHz 的随机读取访问频率和 10.4 MB...
低值电阻测试仪的范围可以从简单到非常复杂。选择通常取决于所需的准确度。 对于简单的连续性测试仪来说,所需要的只是一个低压电源和一个指示器,例如,一个6V电池和一...
为了解释零通量技术的操作,首先考虑一些基本原理是适当的。在图 1 中,左上角显示了围绕磁棒构建的拾波线圈;右上角显示了带有电阻器和电感器的等效电路。当施加电压时,...
分类:电子测量 时间:2024-02-20 阅读:379
负载牵引测量是一种通用技术,可用于表征任何非线性射频器件的不同性能指标。正如我们在上一篇文章中讨论的那样,该技术的一个常见应用是确定功率放大器 (PA) 的恒定输出功...