本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对最...
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型...
本应用笔记介绍了 IXYS 功率 MOSFET 数据表中使用的参数定义。本文件介绍了基本的额定值和特性，例如温度、能量、机械数据以及电流和电压额定值。它还简要描述了数据表中包...
分类：元器件应用 时间：2023-08-31 阅读：253
TIA/EIA-485 和 TIA/EIA-422（也称为 RS-485 和 RS-422）是电信行业协会/电子工业联盟 (TIA/EIA) 发布的有线通信标准。它们使用差分信号在嘈杂的工业和工厂自动化环境中实...
已知最常见的部件之一和最早的电子设备之一是功率二极管。其目的是限制电流在一个方向流动的能力，同时阻止电流在另一个方向流动。市场上有功率二极管，因为它们必须允许在...
在功率逆变器应用中使用 WBG 半导体时选择栅极电阻器的注意事项
如果设计需要出色功率效率的电子应用，请考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术。与传统的电子开关硅解决方案相比，这些新的宽带隙技术具有显着的优势。它们...
检流电阻器的基础知识 电路中的电流检测技术多种多样。其中最简单和最常见的方法之一是使用专用的检流电阻器。如下图所示，这种电阻器有两种用法。其一是图左侧的分流配...
R&S BBA300 射频放大器的软件包允许用户通过简单的 Web GUI 设置偏置点和高功率输出。BBA300-PK1 软件选项提供对放大器广泛参数集的访问，可用于各种应用，从 EMI 抗扰...
许多降压 DC/DC 转换器 IC 都采用电压模式控制算法。因此，为了在连续导通模式下稳定工作，应用电路的输出电容器通常采用高 ESR 钽电容器，原因有两个。ESR 产生的输出纹波...
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
螺线管是机电执行器，具有可自由移动的磁芯（称为柱塞）。一般来说，螺线管由螺旋线圈和铁制成的移动铁芯组成。 当电流通过螺线管线圈时，其内部会产生磁场。该磁场产生...
图 1 中的蓝色曲线显示了根据 DIN/ IEC 60751标准构建的 100 Ω 铂 RTD 的电阻-温度特性。该标准要求传感器在 0 °C 和 100 °C 时分别表现出 100 Ω 和 138.5 Ω。 RTD...
分类：元器件应用 时间：2023-07-03 阅读：496
该图显示了在有源区域使用时具有正常偏置的共源配置 N 沟道 JFET 的标准布置和连接。这里，栅源电压 V GS等于栅极电源或输入电压 V G，它设置栅极和源极之间的反向偏置，而...
引脚1。 – 接地，接地引脚将555 定时器连接到负(0v) 电源轨。 引脚 2。 – 触发器，比较器 1 的负输入。当电压降至 1/3Vcc 以下时，该引脚上的负脉冲“设置”内部触发器...
分类：元器件应用 时间：2023-06-21 阅读：650
